芒果体育app下载安装：GlobalFoundries欲跳级7nm漫谈半导体工艺节点

近来，GlobalFoundries宣告将不会前进7nmFinFET工艺，引起了行业对工艺节点、光刻等技术的探究。本文是来自SemiEngineering2014年的一篇报导，率领大家理解7nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。（由于推断是2014年的，事实上有可能有点过时，期望大家需要补足近期的业界进展和观点，谢谢）。

　　　　随着尖端芯片制造商将其产品推上16nm、14nm、10nm甚至7nm制程，涉及供应商也在改版其技术蓝图。现在华为海思、三星和高通等芯片制造商正在媒体上透露其10nm芯片的销售规划，GlobalFoundries，、Intel、三星和TSMC也正在循序渐进的前进其工艺制程，GlobalFoundries甚至还在日前发布了其7nm计划。　　但随着工艺节点的前进，硅材料本身的局限渐渐显出，再加ASML的EUV光刻机如期没能交付给，业界对于摩尔定律在7nm、5nm和之后的制程否有效地公开发表了有所不同的看法。

从我们的角度显然，10nm节点工艺的构建是没什么问题的（如今早已成为事实，10nm量产在即），但到了7nm和之后的制程，则面对更大的挑战。7nm否能成功量产，5nm否还有有可能，3nm否只不存在于想象之中，（这句话读书一起必经）。　　但有一点可以认同，那就是到了10nm之后，我们无法像在以往节点一样，通过非常简单地增大栅极宽度来前进工艺制程。

往7nm的迁入不致必须便宜的全新晶体管架构、闸极材料和内部相连。同时还必须全新的Fab工具和材料。但就我们仔细观察，这些目前都过于成熟期。

　　从技术的角度显然，我们可以生产7nm或5nm芯片。但设计和生产这些制程的芯片，则必须极强的资金和能力。另外，在有多重选择的当下，如何自由选择准确的技术也是构建这些制程的关键。　　从之前的路线图显然，在7nm制程，最有期望的晶体管候选者就是低电子迁移率的III-V族FinFET，而之后的5nm则不会步入下一代的晶体管。

　　但近来这些现状都早已转变了，根据IMEC的一些报告表明，虽然III-V族inFET可能会应用于在7nm上，但他们指出最后不会在5nm的时候普及（这句话不对劲，是不是普及的是下一代结构的晶体管？）。所以根据IMEC的观点，下一代的晶体管可能会在7nm上就经常出现。

　　只不过在7nm的时候，有三种晶体管可以自由选择，分别是环绕着栅极场效应晶体管、量子阱FinFET和SOIFinFET。根据IMEC的报告，环绕着栅极场效应晶体管是最差的自由选择，但现在来宣告胜利者还是为时过早。某种程度，锗或者III-V族材料都应当是7nm时闸极的选用材料之一（选用，又是之一？）。　　只不过仍然以来，业界都在找寻一个性价比能拒绝接受的方案。

但现在芯片制造商们或许正在加快前进其所自由选择的技术，并将其推向市场，以获得竞争优势。　　从IMEC的报告中我们可以找到，在其CMOS计划中，其研发和合作伙伴还包括了GlobalFoundries，Intel，三星和TSMC等。IMEC不会和他们一起缩窄自由选择范围，并作出最后的自由选择。　　基于IMEC及IMEC合作伙伴路线图，产业有可能在2018年转入7nm时代（从今年来看，有可能要延期）。

不用惊讶，他们都期望能解决问题芯片尺寸之后增大的问题，也许这将知道是摩尔定律的起点。问题是不管未来7nm能否超过，或是不会有一些延期，整个产业的行进步伐己不有可能再是每两年行进一个节点。

　　他们还对5nm及其之后的的自由选择做到了考量。他们回应，在7nm之后，不确定性不会显著提高。

　　10nm之后，IC设计上商和制造商的花费必定不会急速下降，预计只不会有少量的设计商和制造商有充足的金钱和资源需要跟上，业界之间的合作也势必会超过空前的高度。三星的涉及负责人回应，他们的研发中心正在同时展开三个节点的研发，他们的最终目标是相似1.5nm。　　在问及怎样构建的时候，三星负责人回应，他必须更加强劲的工具，材料和对外开放的创意，当然，三星并无法凭自己来构建涉及事宜。

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